申请/专利权人：北京集创北方科技股份有限公司

申请日：2022-05-19

公开（公告）日：2022-11-08

公开（公告）号：CN217768369U

主分类号：H01L23/535

分类号：H01L23/535;H01L27/11;G11C16/04

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2022.11.08#授权

摘要：本实用新型公开了一种SRAM存储单元、存储结构以及触控装置，包括多晶硅层，提供第一连接区和第二连接区及晶体管的栅极多晶硅，第一上拉管和第一下拉管的栅极多晶硅相连为第一栅极线，第二上拉管和第二下拉管的栅极多晶硅相连为第二栅极线；第一金属层，提供相互平行的字线、第一内连线和第二内连线；多个第一导电通道，互连多晶硅层和第一金属层，其中，第一栅极线和第二栅极线平行于第一内连线，第一连接区将在第一内连线上的第一导电通道电连接至第一栅极线，第二连接区将在第二内连线上的第一导电通道电连接至第二栅极线。该SRAM存储单元中的字线、第一内连线和第二内连线相互平行，使其可以位于同一金属层上，从而实现两层金属布线。

主权项：1.一种SRAM存储单元，其特征在于，包括：多晶硅层，提供第一上拉晶体管、第二上拉晶体管、第一下拉晶体管和第二下拉晶体管的栅极多晶硅，所述第一上拉晶体管和所述第一下拉晶体管的栅极多晶硅相连作为第一栅极线，所述第二上拉晶体管和所述第二下拉晶体管的栅极多晶硅相连作为第二栅极线；第一金属层，提供相互平行的字线、第一内连线和第二内连线；第二金属层，提供相互平行的位线、供电线和接地线，所述位线与所述字线的延伸方向垂直；多个第一导电通道，分布在所述第一内连线和所述第二内连线上，用于实现所述多晶硅层和所述第一金属层之间的互连，其中，所述第一栅极线和所述第二栅极线平行于所述第一内连线，所述多晶硅层还包括：第一连接区，将分布在所述第一内连线上的所述第一导电通道电连接至所述第一栅极线；第二连接区，将分布在所述第二内连线上的所述第一导电通道电连接至所述第二栅极线。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 北京集创北方科技股份有限公司 SRAM存储单元、存储结构以及触控装置

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