申请/专利权人：佛山市国星半导体技术有限公司

申请日：2022-08-11

公开（公告）日：2022-11-11

公开（公告）号：CN115332405A

主分类号：H01L33/06

分类号：H01L33/06;H01L33/32

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2022.11.29#实质审查的生效;2022.11.11#公开

摘要：本发明公开了GaN基蓝绿光二极管外延结构及其制备方法、LED，涉及光电子制造技术领域。其中，蓝绿光二极管的制备方法为：在衬底上依次生长第一AlGaN层、第二AlGaN层、非掺杂GaN层、u‑GaN层、n‑GaN层、多量子阱层、低温p‑GaN层、p‑AlGaN层、高温p‑GaN层、p‑GaN接触层；最后在600‑900℃退火处理3～15min，即得。其中，第一AlGaN层的生长温度为500‑900℃，生长压力为100‑600Torr，VⅢ比为50‑1000；第二AlGaN层的生长温度为800‑1000℃，生长压力为200‑500Torr，VⅢ比为500‑2500。实施本发明，可提高发光二极管的抗静电强度和发光强度。

主权项：1.一种GaN基蓝绿光二极管外延结构的制备方法，其特征在于，包括：1提供衬底；2在所述衬底上生长第一AlGaN层；其中，第一AlGaN层的生长温度为500-900℃，生长压力为100-600Torr，VⅢ比为50-1000；其厚度为10-300nm；3在所述第一AlGaN层上生长第二AlGaN层；其中，第二AlGaN层的生长温度为800-1000℃，生长压力为200-500Torr，VⅢ比为500-2500；其厚度为10-300nm；4在所述第二AlGaN层上生长非掺杂GaN层；其中，非掺杂GaN层的生长温度为900-1100℃，生长压力为200-500Torr，VⅢ比为500-2500；其厚度为0.5-1.5μm；5在所述非掺杂GaN层上生长u-GaN层；6在所述u-GaN层上生长n-GaN层；7在所述n-GaN层上生长多量子阱层；8在所述多量子阱层上生长低温p-GaN层；9在所述低温p-GaN层上生长p-AlGaN层；10在所述p-AlGaN层上生长高温p-GaN层；11在所述高温p-GaN层上生长p-GaN接触层；12将步骤11得到的衬底在600-900℃退火处理3～15min，即得到GaN基蓝绿光二极管外延结构成品。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 佛山市国星半导体技术有限公司 GaN基蓝绿光二极管外延结构及其制备方法、LED

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD