申请/专利权人：大连海事大学

申请日：2022-08-18

公开（公告）日：2022-11-11

公开（公告）号：CN115332377A

主分类号：H01L31/0352

分类号：H01L31/0352;H01L31/115;H01L31/18

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2022.11.29#实质审查的生效;2022.11.11#公开

摘要：本发明公开了一种双沟槽型碳化硅中子探测器结构，包括：4H‑SiC衬底、设置在4H‑SiC衬底上方的4H‑SiC外延层、开设在4H‑SiC外延层正面的第一沟槽和第二沟槽，第一沟槽和第二沟槽交错设置；第一沟槽内设有中子转换材料10B粉末，第二沟槽内设有中子转换材料6LiF粉末；所述4H‑SiC外延层正面台面上设有P型欧姆接触电极，背面台面上设有N型欧姆接触电极。相比于传统的单沟槽型结构碳化硅中子探测器，本发明提出的双沟槽结构充分利用了10B和6LiF与热中子发生核反应的特点，大幅度提升本征探测效率。

主权项：1.一种双沟槽型碳化硅中子探测器，其特征在于，包括：4H-SiC衬底1、4H-SiC外延层2、离子注入形成的P+区3、多个宽度不同的第一沟槽6和第二沟槽7；所述4H-SiC外延层2在所述4H-SiC衬底1的上方，4H-SiC外延层2正面开设第一沟槽6和第二沟槽7，所述第一沟槽6和第二沟槽7交错排列；所述离子注入形成的P+区3在所述第一沟槽6和第二沟槽7的内壁、底面和台阶面上；所述第一沟槽6和第二沟槽7内填充中子转换材料。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 大连海事大学 一种双沟槽型碳化硅中子探测器

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