申请/专利权人：上海华力微电子有限公司

申请日：2022-08-31

公开（公告）日：2022-11-15

公开（公告）号：CN115346911A

主分类号：H01L21/762

分类号：H01L21/762;H01L21/306;H01L27/146;G06F30/398

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2022.12.02#实质审查的生效;2022.11.15#公开

摘要：本发明提供一种基于透光率优化双沟槽工艺中较深沟槽刻蚀形貌的方法，包括建立透光率与双沟槽工艺中前后两道刻蚀形成较深沟槽的侧壁角度关系的数学模型；获取前后两道刻蚀形成较深沟槽的侧壁角度形貌图形；根据数学模型在不同透光率条件下重合比对前后两道刻蚀形成较深沟槽的侧壁角度形貌图形，判断前后两道刻蚀形成合格的较深沟槽的侧壁角度形貌与透光率在数学模型中是否匹配；当不匹配时，在后续工艺中通过调整后道刻蚀的刻蚀气体配比来调整后道刻蚀的侧壁角度，以使前后两道刻蚀形成合格的较深沟槽的侧壁角度形貌与透光率相匹配，以优化后续工艺中较深沟槽的刻蚀形貌。本发明能够避免双沟槽工艺产生的底部或者斜率缺陷，提高沟槽的刻蚀质量。

主权项：1.一种基于透光率优化双沟槽工艺中较深沟槽刻蚀形貌的方法，其特征在于，建立透光率与双沟槽工艺中前后两道刻蚀形成较深沟槽的侧壁角度关系的数学模型；获取双沟槽工艺中前后两道刻蚀形成较深沟槽的侧壁角度形貌图形；根据数学模型在不同透光率条件下重合比对前后两道刻蚀形成较深沟槽的侧壁角度形貌图形，判断前后两道刻蚀形成合格的较深沟槽的侧壁角度形貌与透光率在数学模型中是否匹配；当前后两道刻蚀形成合格的较深沟槽的侧壁角度形貌与透光率不匹配时，在后续工艺中通过调整后道刻蚀的刻蚀气体配比来调整后道刻蚀的侧壁角度，以使前后两道刻蚀形成合格的较深沟槽的侧壁角度形貌与透光率相匹配，以优化后续工艺中较深沟槽的刻蚀形貌。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海华力微电子有限公司 基于透光率优化双沟槽工艺中较深沟槽刻蚀形貌的方法

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