申请/专利权人：泰科天润半导体科技(北京)有限公司

申请日：2022-07-14

公开（公告）日：2022-11-22

公开（公告）号：CN115378226A

主分类号：H02M1/00

分类号：H02M1/00;H02M1/12;H02M1/44;H02M1/088;H02M7/5395;H02M7/483

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2022.12.09#实质审查的生效;2022.11.22#公开

摘要：本发明提供一种抑制碳化硅MMC共模电压的混沌层叠载波正弦脉宽调制方法，所述方法包括：选取混沌映射生成混沌序列，通过混沌序列产生混沌层叠载波；将目标调制波与混沌层叠载波进行比较，得到每个桥臂中每个子模块对应的脉冲信号；根据每个桥臂上的子模块电压大小对子模块进行排序，并根据所述脉冲信号分配驱动脉冲，达到子模块电压均衡，通过优化子模块开关序列，实时抑制共模电压高频跳变，有效降低MMC漏电流和共模噪声，改善其工作性能。

主权项：1.一种抑制碳化硅MMC共模电压的混沌层叠载波正弦脉宽调制方法，其特征在于，具体包括以下步骤：步骤S1、选取混沌映射生成混沌序列，通过混沌序列产生混沌层叠载波；步骤S2、将目标调制波与混沌层叠载波进行比较，得到每个桥臂中每个子模块对应的脉冲信号；步骤S3、根据每个桥臂上的子模块电压大小对子模块进行排序，并根据所述脉冲信号分配驱动脉冲，达到子模块电压均衡。

全文数据：

权利要求：

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