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【发明授权】一种基于基片集成波导和带状线馈电的双极化单脉冲天线_南京航空航天大学_202111214139.2 

申请/专利权人:南京航空航天大学

申请日:2021-10-19

公开(公告)日:2022-11-22

公开(公告)号:CN114006172B

主分类号:H01Q9/04

分类号:H01Q9/04;H01Q25/02;H01Q25/04;H01Q1/00;H01Q15/24

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2022.11.22#授权;2022.02.22#实质审查的生效;2022.02.01#公开

摘要:本发明公开了一种基于基片集成波导和带状线馈电的双极化单脉冲天线,由上至下依次为方形贴片层、第一田字形基片集成波导腔层、第一十字缝隙层、第二田字形基片集成波导腔层、第二十字缝隙层、基片集成波导比较器层、竖直缝隙层、带状线层和金属底板,基片集成波导比较器层进行垂直极化馈电,电磁场通过第二十字缝隙层后,形成垂直极化电磁场,耦合至第一十字缝隙层形成高次模,最后耦合至方形贴片层,由方形贴片层辐射至自由空间形成垂直极化波束;带状线层激励竖直缝隙层产生水平极化电磁场,分别通过第二和第一十字缝隙,耦合至方形贴片由方形贴片辐射至自由空间形成水平极化波束。本发明结构简单、增益高、零深较深,实现了单脉冲天线双极化。

主权项:1.一种基于基片集成波导和带状线馈电的双极化单脉冲天线,其特征在于:包括紧密贴合的上层辐射层和下层馈源层,其中,上层辐射层由上至下依次包括方形贴片层(1)、第一田字形基片集成波导腔层(2)、第一十字缝隙层(3)、第二田字形基片集成波导腔层(4)和第二十字缝隙层(5),上层辐射层的各层紧密贴合,上层辐射层由田字形金属过孔(11)分割为四个方格,方形贴片层的每个方格内阵列排布四个方形贴片,第一田字形基片集成波导腔层(2)和第二田字形基片集成波导腔层(4)由田字形金属过孔(11)分割为四个基片集成波导腔,第一十字缝隙层(3)的每个方格内阵列排布四个第一十字缝隙(12),第二十字缝隙层(5)的每个方格内排布一个第二十字缝隙(13);下层馈源层由上至下依次包括基片集成波导比较器层(6)、竖直缝隙层(7)、带状线层(8)和金属底板(9),下层馈源层的各层紧密贴合;基片集成波导比较器层(6)上设有第一金属过孔(14)、第二金属过孔(15)、第三金属过孔(17)和“王”字形金属过孔,基片集成波导比较器层(6)的下表面设有第一端口(16)和第二端口(18),竖直缝隙层(7)上与第二十字缝隙的竖直缝隙相对应的位置设置有竖直缝隙(19),且与第一端口和第二端口相对应的位置设置有通孔,带状线层(8)上与第一端口和第二端口相对应的位置设置有通孔,且带状线层(8)上设置有第一带状线功分器(20)和第二带状线功分器(21);第一带状线功分器(20)和第二带状线功分器(21)激励竖直缝隙(19)产生水平极化电磁场;基片集成波导比较器层(6)进行垂直极化馈电,电磁场通过第二十字缝隙(13)时,第二十字缝隙(13)中的水平缝隙切割电场,而竖直部分未切割电场,形成垂直极化电磁场,然后由第二十字缝隙(13)中的水平部分耦合至第一十字缝隙(12)的水平部分形成高次模,最后耦合至方形贴片层(1),由方形贴片层(1)辐射至自由空间形成垂直极化波束;带状线层(8)激励竖直缝隙层(7)产生水平极化电磁场,然后通过第二十字缝隙(13)和第一十字缝隙(12),最后耦合至方形贴片(1),由方形贴片辐射至自由空间形成水平极化波束;每个第二十字缝隙(13)相对于四壁和两两之间的距离都相等,每个竖直缝隙(19)相对于基片集成波导壁的距离相等。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 南京航空航天大学 一种基于基片集成波导和带状线馈电的双极化单脉冲天线

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