申请/专利权人：安徽大学

申请日：2022-08-24

公开（公告）日：2022-11-25

公开（公告）号：CN115394334A

主分类号：G11C11/41

分类号：G11C11/41;G11C11/413;G11C11/414;G11C11/416

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2022.12.13#实质审查的生效;2022.11.25#公开

摘要：本发明公开了一种18T抗辐照SRAM存储单元电路，其由10个一类MOS管、8个二类MOS管和4个节点组成，10个一类MOS管依次记为P1～P10，8个二类MOS管依次记为N1～N8，4个节点依次为第一存储节点、第二存储节点、第一冗余节点、第二冗余节点。本发明的18T抗辐照SRAM存储单元电路，一类MOS管P5的栅极与一类MOS管P6的漏极电连接，一类MOS管P5的漏极与一类MOS管P6的栅极电连接，形成交叉耦合结构实现完全抵抗单个节点处发生数据翻转；同时，由于第一存储节点与第二存储节点采用双上拉管与双下拉管结构且下拉管分别由不同反馈进行控制，使得双节点同时发生数据翻转时仍能恢复到初始状态。

主权项：1.一种18T抗辐照SRAM存储单元电路，其特征在于，包括：10个一类MOS管、8个二类MOS管和4个节点，10个所述一类MOS管依次记为P1～P10，8个所述二类MOS管依次记为N1～N8，4个所述节点依次为第一存储节点、第二存储节点、第一冗余节点、第二冗余节点，其中：一类MOS管P5的栅极与一类MOS管P6的漏极电连接，一类MOS管P5的漏极与一类MOS管P6的栅极电连接，形成交叉耦合结构；一类MOS管P3和P7为所述第一存储节点上的上拉管，二类MOS管N3和N7为所述第一存储节点上的下拉管，一类MOS管P4和P8为所述第二存储节点上的上拉管，二类MOS管为N4和N8为所述第二存储节点上的下拉管；一类MOS管P5为所述第一冗余节点上的上拉管，一类MOS管P9和N5为所述第一冗余储节点上的下拉管，一类MOS管P6为所述第二冗余节点上的上拉管，二类MOS管P10和N6为所述第二冗余节点上的下拉管；一类MOS管P1的栅极与第二字线连接，一类MOS管P1的源极与第一位线连接；一类MOS管P2的栅极与第二字线连接，一类MOS管P2的源极与第二位线连接；二类MOS管N1的栅极与第一字线连接，二类MOS管N1的源极与第一位线连接；二类MOS管N2的栅极与第一字线连接，二类MOS管N2的源极与第二位线连接。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 安徽大学 一种18T抗辐照SRAM存储单元电路

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