申请/专利权人：东南大学

申请日：2020-04-15

公开（公告）日：2022-11-25

公开（公告）号：CN111327274B

主分类号：H03B19/16

分类号：H03B19/16

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2022.11.25#授权;2020.07.17#实质审查的生效;2020.06.23#公开

摘要：本发明公开了一种反向并联SBD太赫兹三倍频器及其制备方法，倍频器包括外壳和位于外壳内的第一绝缘子、第二绝缘子、输入波导、输出波导和倍频芯片，所述倍频芯片包括低通滤波器、第一肖特基二极管和第二肖特基二极管，所述倍频芯片的第一肖特基二极管和第二肖特基二极管交流通路为反向并联，所述第一肖特基二极管和第二肖特基二极管正向偏压都为非线性电阻管、反向偏压都为非线性电容管。本发明倍频效率高，不需要片外滤波器，实现了单片太赫兹三倍频器，提高了系统集成度。

主权项：1.一种反向并联SBD太赫兹三倍频器，其特征在于：包括外壳和位于外壳内的第一绝缘子、第二绝缘子、输入波导、输出波导和倍频芯片，所述倍频芯片包括低通滤波器、第一肖特基二极管和第二肖特基二极管，所述外壳上设置有第一直流偏置输入管脚、第二直流偏置输入管脚、输入波导管脚和输出波导管脚，所述倍频芯片上设有第一直流焊盘、第二直流焊盘、输入探针和输出探针，所述第一直流偏置输入管脚通过串联的第一绝缘子、第一电容和第二电容连接所述倍频芯片的第一直流焊盘，所述第二直流偏置输入管脚通过串联的第二绝缘子、第三电容和第四电容连接所述倍频芯片的第二直流焊盘，所述输入波导和输出波导集成在所述外壳上，所述输入波导一端连接输入波导管脚，另一端连接所述倍频芯片的输入探针，所述输出波导一端连接输出波导管脚，另一端连接所述倍频芯片的输出探针，所述倍频芯片的第一肖特基二极管和第二肖特基二极管交流通路为反向并联，之后分别连接第一直流焊盘和第二直流焊盘，所述倍频芯片的输入探针通过低通滤波器、第一肖特基二极管和第二肖特基二极管的连接点，连接至输出探针，所述第一肖特基二极管和第二肖特基二极管正向偏压都为非线性电阻管、反向偏压都为非线性电容管。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 东南大学 一种反向并联SBD太赫兹三倍频器及其制备方法

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