申请/专利权人:武汉华星光电半导体显示技术有限公司
申请日:2020-12-08
公开(公告)日:2022-11-25
公开(公告)号:CN112599571B
主分类号:H01L27/32
分类号:H01L27/32;H01L29/43;H01L29/417;H01L27/12;G09G3/3208
优先权:
专利状态码:有效-授权
法律状态:2022.11.25#授权;2021.04.23#实质审查的生效;2021.04.02#公开
摘要:本申请提供一种显示面板,显示面板包括:基板;第一多晶硅晶体管,第一多晶硅晶体管包括第一多晶硅有源层,第一多晶硅有源层包括第一多晶硅沟道、第一源极以及第一漏极,第一源极和第一漏极位于第一多晶硅沟道的相对两侧;第一金属氧化物晶体管,第一金属氧化物晶体管包括第一金属氧化物有源层,第一金属氧化物有源层包括第一金属氧化物沟道、第二源极以及第二漏极,第二源极和第二漏极位于第一金属氧化物沟道的相对两侧,第一金属氧化物有源层位于第一多晶硅有源层的上方;以及绝缘层,设置于第一金属氧化物有源层和第一多晶硅有源层之间;其中,第二源极和第二漏极中的一者通过贯穿绝缘层的第一过孔与第一源极和第一漏极中的一者电性连接。
主权项:1.一种显示面板,其特征在于,所述显示面板包括:基板;第一多晶硅晶体管,所述第一多晶硅晶体管包括第一多晶硅有源层,所述第一多晶硅有源层包括第一多晶硅沟道、第一源极以及第一漏极,所述第一源极和所述第一漏极位于所述第一多晶硅沟道的相对两侧;第一金属氧化物晶体管,所述第一金属氧化物晶体管包括第一金属氧化物有源层,所述第一金属氧化物有源层包括第一金属氧化物沟道、第二源极以及第二漏极,所述第二源极和所述第二漏极位于所述第一金属氧化物沟道的相对两侧,所述第一金属氧化物有源层位于所述第一多晶硅有源层的上方;以及绝缘层,设置于所述第一金属氧化物有源层和所述第一多晶硅有源层之间;其中,所述第二源极和所述第二漏极中的一者通过贯穿所述绝缘层的第一过孔与所述第一源极和所述第一漏极中的一者电性连接。
全文数据:
权利要求:
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