申请/专利权人:华中科技大学
申请日:2021-05-27
公开(公告)日:2022-11-25
公开(公告)号:CN113328339B
主分类号:H01S5/125
分类号:H01S5/125
优先权:
专利状态码:有效-授权
法律状态:2022.11.25#授权;2021.09.17#实质审查的生效;2021.08.31#公开
摘要:本发明公开一种高功率分布反馈激光器,包括反射区、有源区和无源区,有源区、无源区和反射区内由下至上依次设置有下电极层、下波导盖层、无源波导层和上波导盖层,有源区的无源波导层和上波导盖层之间由下至上依次设置有有源层和有源波导层,有源波导层上设置有相移区,反射区和无源区一端设置有增透膜;上波导盖层上形成有脊波导结构,有源区内脊波导上由下至上依次设置有欧姆接触层和上电极层;有源层包括由下至上依次设置的下分别限制层、量子阱和上分别限制层,有源区的有源波导层和反射区的无源波导层均刻有布拉格光栅。反射区光栅可以精确控制相移,因而降低了器件的制作成本,提高了器件的边模抑制比。
主权项:1.一种高功率分布反馈激光器,其特征在于,包括激光器,所述激光器纵向依次包括反射区15、有源区16和无源区17,所述激光器横向由下至上依次设置有下电极层1、衬底、下波导盖层3、无源波导层4和上波导盖层12;所述有源区16的无源波导层4和上波导盖层12之间由下至上依次设置有有源层8和有源波导层9,所述有源波导层9刻有布拉格光栅;所述反射区15的无源波导层4刻有布拉格光栅,所述有源波导层9包含有相移区14,所述反射区15和无源区17远离所述有源区16的一端均设置有增透膜13;所述上波导盖层12由下至上依次包括未刻蚀层10和脊层11;所述有源区内脊波导上由下至上依次设置有欧姆接触层2和上电极层18;所述有源层8包括由下至上依次设置的下分别限制层5、量子阱6和上分别限制层7,所述衬底、下波导盖层3、无源波导层4、未刻蚀层10、脊层11构成脊波导结构;通过调整有源区16光栅的刻蚀深度、有源波导层9材料折射率以及有源波导层9到有源层8的距离来调整有源区16光栅的耦合系数;通过调整反射区光栅的刻蚀深度、无源波导层4的材料折射率和厚度以及反射区15的长度来调整反射区15的反射率。
全文数据:
权利要求:
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