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【发明授权】垂直腔面发射激光器制备方法及垂直腔面发射激光器_苏州长瑞光电有限公司_202111071919.6 

申请/专利权人:苏州长瑞光电有限公司

申请日:2021-09-14

公开(公告)日:2022-11-25

公开(公告)号:CN113809635B

主分类号:H01S5/183

分类号:H01S5/183;H01S5/02

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2022.11.25#授权;2022.01.04#实质审查的生效;2021.12.17#公开

摘要:本发明公开了一种垂直腔面发射激光器制备方法,包括:对柱状主动区平台进行氧化处理以形成氧化孔的步骤,具体如下:第一次湿法氧化,在柱状主动区平台内的氧化限制层中间形成孔径尺寸大于目标孔径尺寸的第一氧化孔,然后去除氧化限制层最外圈的一圈氧化铝;第二次湿法氧化,在柱状主动区平台内的氧化限制层中间形成孔径尺寸小于第一氧化孔但大于目标孔径尺寸的第二氧化孔,然后去除氧化限制层最外圈的一圈氧化铝;依此类推,直到第N次湿法氧化后,形成孔径尺寸等于目标孔径尺寸的氧化孔,N为大于等于2的整数。本发明还公开了一种垂直腔面发射激光器。本发明可消除氧化限制层在氧化过程中出现开裂或者鼓裂的现象,从而有效提高器件可靠性。

主权项:1.一种垂直腔面发射激光器制备方法,包括:对柱状主动区平台的侧壁进行氧化处理以在所述柱状主动区平台内的氧化限制层中间形成氧化孔的步骤;其特征在于,所述氧化处理的方法具体如下:先对柱状主动区平台的侧壁进行第一次湿法氧化,在所述柱状主动区平台内的氧化限制层中间形成孔径尺寸大于目标孔径尺寸的第一氧化孔,然后去除所述氧化限制层最外圈的一圈氧化铝;对柱状主动区平台的侧壁进行第二次湿法氧化,在所述柱状主动区平台内的氧化限制层中间形成孔径尺寸小于第一氧化孔但大于目标孔径尺寸的第二氧化孔,然后去除所述氧化限制层最外圈的一圈氧化铝;依此类推,直到对柱状主动区平台的侧壁进行第N次湿法氧化后,在所述柱状主动区平台内的氧化限制层中间形成孔径尺寸等于目标孔径尺寸的氧化孔,N为大于等于2的整数。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 苏州长瑞光电有限公司 垂直腔面发射激光器制备方法及垂直腔面发射激光器

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