申请/专利权人：无锡特科精细陶瓷有限公司

申请日：2022-01-11

公开（公告）日：2022-11-25

公开（公告）号：CN114315326B

主分类号：C04B35/10

分类号：C04B35/10;C04B35/622;C04B41/87

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2022.11.25#授权;2022.04.29#实质审查的生效;2022.04.12#公开

摘要：本发明属于陶瓷领域，具体涉及一种高质量陶瓷平板的制备方法，包括：将POSS加入至盐酸中超声处理20‑30min，取出沉淀后放入氢氧化钠溶液中微波处理1‑2h，取出洗涤烘干得到羟基化POSS；将异丙醇铝加入乙醇中搅拌均匀形成溶解液，然后将羟基化POSS放入并低温微波处理20‑30min，恒温处理30‑50min形成浓缩，取出后自然晾干，经升温处理得到铝氧基改性POSS；将纳米氧化铝、铝氧基改性POSS、甲基纤维素和乙醇水溶液进行球磨，恒温处理20‑30min，得到浆料；将浆料进行真空搅拌脱泡，再进行流延成型，初步烧结得到陶瓷生坯；将陶瓷生坯表面涂覆硅铝液，烘干后表面包覆铝箔并微波处理20‑40min，冷却静置得到预处理平板；将预处理平板预烧结处理1‑2h，等静压处理2‑5h，得到高质量陶瓷平板。

主权项：1.一种高质量陶瓷平板的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：步骤1，将POSS加入至盐酸中超声处理20-30min，取出沉淀后放入氢氧化钠溶液中微波处理1-2h，取出洗涤烘干得到羟基化POSS；步骤2，将异丙醇铝加入乙醇中搅拌均匀形成溶解液，所述异丙醇铝在乙醇中的浓度为100-200gL，然后将羟基化POSS放入并低温微波处理20-30min，所述低温微波处理的温度为10-20℃，微波功率为300-500W，恒温处理30-50min形成浓缩，取出后自然晾干，所述恒温处理的温度为80-90℃，浓缩后的体积是原体积的20-40％，经升温处理得到铝氧基改性POSS，所述升温处理的温度为160-180℃；步骤3，将纳米氧化铝、铝氧基改性POSS、甲基纤维素和乙醇水溶液进行球磨，所述球磨的温度5-10℃，球磨压力为0.2-0.4Mpa，恒温处理20-30min，所述恒温处理的温度为80-90℃，得到浆料；步骤4，将浆料进行真空搅拌脱泡，所述真空搅拌的速度为50-80rmin，时间为2-4h，再进行流延成型，初步烧结得到陶瓷生坯，所述流延成型在流延机上进行，且流延速度为0.4-0.7mmin，且初步烧结的温度为200-220℃；步骤5，将陶瓷生坯表面涂覆硅铝液，烘干后表面包覆铝箔并微波处理20-40min，冷却静置得到预处理平板，所述硅铝液采用硅酸乙酯与异丙醇铝的异丙醇溶解液，且硅酸乙酯的浓度为20-30gL，异丙醇铝的浓度为100-200gL，涂覆量为20-30mLcm2,烘干温度为80-90℃；所述微波处理的温度为200-220℃，微波功率为400-600W；步骤6，将预处理平板预烧结处理1-2h，等静压处理2-5h，得到高质量陶瓷平板，所述预烧结处理的温度为200-250℃，所述等静压的压力为100-200MPa。

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权利要求：

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