申请/专利权人:宁波君芯半导体有限公司
申请日:2022-05-30
公开(公告)日:2022-11-25
公开(公告)号:CN217903129U
主分类号:H01L29/78
分类号:H01L29/78;H01L29/06;H01L23/427;H01L23/367;H01L23/48
优先权:
专利状态码:有效-授权
法律状态:2022.11.25#授权
摘要:本实用新型公开了一种耐高温耐腐蚀SiCMOSFET器件单元,包括器件主体,器件主体的内部设置有均匀分布的栅极,栅极的顶部设置有源极,相邻两个栅极之间设置有晶体管间隔层,晶体管间隔层与源极接触,栅极的底部设置有漏极,栅极和漏极之间设置有碳化硅层,栅极的一侧设置时有位于碳化硅层内部的掺杂层。本实用新型通过设置的掺杂层,利用在栅极一侧的碳化硅表面斜向掺入氮元素,在局部形成一层高浓度氮元素的碳化硅层,使电流路径上的电流变得容易传导,使得电阻率降低,进而使得SiCMOSFET器件单元在高温下电阻率升高较低,使得SiCMOSFET器件单元具有良好的耐高温效果。
主权项:1.一种耐高温耐腐蚀SiCMOSFET器件单元,其特征在于,包括器件主体1,所述器件主体1的内部设置有均匀分布的栅极10,所述栅极10的顶部设置有源极4,相邻两个所述栅极10之间设置有晶体管间隔层12,所述晶体管间隔层12与源极4接触,所述栅极10的底部设置有漏极9,所述栅极10和漏极9之间设置有碳化硅层15,所述栅极10的一侧设置时有位于碳化硅层15内部的掺杂层6。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 宁波君芯半导体有限公司 一种耐高温耐腐蚀SiC MOSFET器件单元
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