申请/专利权人：福建省晋华集成电路有限公司

申请日：2022-06-10

公开（公告）日：2022-11-25

公开（公告）号：CN217903116U

主分类号：H01L23/528

分类号：H01L23/528;H01L23/48;H01L21/768

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2022.11.25#授权

摘要：本实用新型公开了半导体存储器件，其包括衬底、位线、以及电阻结构。衬底包括有源区以及多个绝缘区。电阻结构设置在绝缘区上，电阻结构由下而上还依序包括第一半导体层、以及第一盖层。位线设置在衬底上并横跨有源区以及绝缘区，位线由下而上还依序包括第二半导体层、第一阻障层、第一导电层、以及第二盖层。其中，第一半导体层与的第二半导体层具有相互齐平的顶面以及相同的半导体材质。由此，可在简化制作工艺的前提下形成兼具结构可靠度以及稳定表面电阻值的电阻器。

主权项：1.一种半导体存储器件，其特征在于包括：衬底，包括有源区以及多个绝缘区；电阻结构，设置在所述绝缘区上，所述电阻结构还包括：第一半导体层；第一盖层，设置在所述第一半导体层上；以及第一间隙壁，直接物理接触所述第一半导体层与所述第一盖层的侧壁；以及位线结构，设置在所述衬底上并横跨所述有源区以及所述绝缘区，所述位线结构还包括：第二半导体层；第一阻障层，设置在所述第二半导体层上；第一导电层，设置在所述第一阻障层上；第二盖层，设置在所述第一导电层上；以及第二间隙壁，直接物理接触所述第二半导体层、所述第一阻障层、所述第一导电层、所述第二盖层与所述第二间隙壁的侧壁。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 福建省晋华集成电路有限公司 半导体存储器件

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD