申请/专利权人：长鑫存储技术有限公司

申请日：2021-05-21

公开（公告）日：2022-11-25

公开（公告）号：CN115394734A

主分类号：H01L23/48

分类号：H01L23/48;H01L23/60;H01L21/768

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2022.12.13#实质审查的生效;2022.11.25#公开

摘要：本发明提供一种半导体结构及半导体结构的制备方法，涉及半导体技术领域，该半导体结构包括基底、TSV结构和第一保护结构，所述基底具有相邻设置的第一区域和第二区域，所述第一区域设有功能器件；所述TSV结构设置在所述第二区域内，并与所述功能器件电连接；第一保护结构，所述第一保护结构环绕所述TSV结构设置，并与所述TSV结构电连接；其中，所述第一保护结构位于所述TSV结构和所述功能器件之间。本发明通过在第二区域内设置与TSV结构连接的第一保护结构，第一保护结构能够吸收形成TSV结构时所产生的电流，防止该电流传递至功能器件处，避免该电流损坏功能器件，提高功能器件的寿命，进而提高半导体结构的性能。

主权项：1.一种半导体结构，其特征在于，包括：基底，所述基底具有相邻设置的第一区域和第二区域，所述第一区域设有功能器件；TSV结构，所述TSV结构设置在所述第二区域内，并与所述功能器件电连接；第一保护结构，所述第一保护结构环绕所述TSV结构设置，并与所述TSV结构电连接；其中，所述第一保护结构位于所述TSV结构和所述功能器件之间。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 长鑫存储技术有限公司 半导体结构及半导体结构的制备方法

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