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【发明公布】MOSFET器件及制备方法_华润微电子(重庆)有限公司_202110566514.3 

申请/专利权人:华润微电子(重庆)有限公司

申请日:2021-05-24

公开(公告)日:2022-11-25

公开(公告)号:CN115394829A

主分类号:H01L29/06

分类号:H01L29/06;H01L29/423;H01L29/78;H01L21/336;H01L21/28

优先权:

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2022.12.13#实质审查的生效;2022.11.25#公开

摘要:本发明提供一种MOSFET器件及制备方法,引入具有不同掺杂浓度的双层外延以及较深的具有不同厚度栅介电层的沟槽栅极结构,能够使得在一定沟槽深度情况下MOSFET器件取得较高的耐压,显著降低了导通电阻和反向恢复时间;在沟槽栅极结构中,形成的具有不同厚度的栅介电层以及具有同一平面的栅导电层的复合沟槽栅结构的制备工艺简单,便于制造实现,且制造成本较低;在外延结构中引入缺陷中心,还可进一步的降低MOSFET器件的反向恢复时间,从而可大幅提升电源系统的整流效率,同时双层外延提供了软的反向恢复特性,显著降低了系统的电压和电流尖峰,提高了系统可靠性。

主权项:1.一种MOSFET器件,其特征在于,所述MOSFET器件包括:具有第一导电类型的外延结构,所述外延结构包括堆叠设置的第一外延层及第二外延层,且所述第一外延层的掺杂浓度大于所述第二外延层的掺杂浓度;沟槽栅极结构,所述沟槽栅极结构设置于所述外延结构中,包括第一沟槽栅极结构及第二沟槽栅极结构,其中,所述第一沟槽栅极结构包括第一栅介电层及第一栅导电层,所述第二沟槽栅极结构包括第二栅介电层及第二栅导电层,且所述第二沟槽栅极结构位于所述第一栅介电层上,并位于部分所述第一栅导电层的外围;具有第二导电类型的体区,所述体区设置于所述沟槽栅极结构之间的所述第二外延层中,所述第二导电类型与所述第一导电类型相反;具有第一导电类型的源区,所述源区设置于所述体区上。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 华润微电子(重庆)有限公司 MOSFET器件及制备方法

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