申请/专利权人：英特尔公司

申请日：2022-04-20

公开（公告）日：2022-11-25

公开（公告）号：CN115394744A

主分类号：H01L23/498

分类号：H01L23/498;H01L23/538;H01L25/18;H01L21/768

优先权：["20210521 US 17/326,569"]

专利状态码：在审-公开

法律状态：2022.11.25#公开

摘要：一种电子衬底，其可以被制造为包括具有上表面的细间距电介质层、在细间距电介质层的上表面上的粗间距电介质层、以及延伸穿过细间距电介质层和粗间距电介质层的至少一个混合导电过孔。制造混合导电过孔，使得其延伸穿过细间距电介质层的部分小于延伸穿过粗间距电介质层的部分，这导致了阶梯结构，其中混合导电过孔的一部分邻接细间距电介质层的上表面。在本说明书的实施例中，集成电路封装可以与电子衬底一起形成，其中至少两个集成电路器件可以附接到电子衬底，使得电桥在其间提供器件到器件互连。

主权项：1.一种装置，包括：细间距电介质层，具有上表面；粗间距电介质层，在所述细间距电介质层的所述上表面上；以及至少一个混合导电过孔，延伸穿过所述细间距电介质层和所述粗间距电介质层，其中，所述混合导电过孔位于所述细间距电介质层的所述上表面上，并且其中，所述混合导电过孔包括单一导电材料。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 英特尔公司 用于电子衬底的混合导电过孔

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