申请/专利权人：富士电机株式会社

申请日：2022-05-17

公开（公告）日：2022-11-25

公开（公告）号：CN115394730A

主分类号：H01L23/367

分类号：H01L23/367;H01L23/498

优先权：["20210524 JP 2021-086663"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.03.08#实质审查的生效;2022.11.25#公开

摘要：本发明提供半导体装置，其抑制配置有电阻元件的绝缘电路基板的散热性的降低。半导体装置具有：电阻元件7和绝缘电路基板2，电阻元件7包括金属块7a、设置于金属块7a上的树脂层7b以及设置于树脂层7b上的电阻膜7c，绝缘电路基板2包括绝缘板3和电路图案4a，电路图案4a设置于绝缘板3上且在正面具备接合电阻元件7的金属块7a的背面的接合区域，电路图案在俯视时面积比电阻元件7的正面的面积宽阔。此时，金属块7a的厚度比电路图案4a的厚度厚。由此，金属块7a能够将来自电阻元件7的电阻膜7c的热适当地传导至电路图案4a。

主权项：1.一种半导体装置，其特征在于，具有：电阻元件，其包括金属块、设置于所述金属块上的树脂层、以及设置于所述树脂层上的电阻膜；以及绝缘电路基板，其包括绝缘板和电路图案，所述电路图案设置于所述绝缘板上且在正面具备接合所述电阻元件的所述金属块的背面的接合区域，所述电路图案在俯视时面积比所述电阻元件的正面的面积宽阔，所述金属块的厚度比所述电路图案的厚度厚。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 富士电机株式会社 半导体装置

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