申请/专利权人：安靠科技新加坡控股私人有限公司

申请日：2022-05-18

公开（公告）日：2022-11-25

公开（公告）号：CN115394739A

主分类号：H01L23/49

分类号：H01L23/49;H01L23/31;H01L21/48;H01L21/56

优先权：["20210524 US 17/328,861"]

专利状态码：在审-公开

法律状态：2022.11.25#公开

摘要：半导体装置以及制造半导体装置的方法。在一个实例中，一种半导体装置包括具有引线的衬底，引线包括引线端子、引线阶梯和引线偏移件，引线偏移件在引线阶梯之间延伸，使得至少一些引线阶梯驻留在不同平面上。第一电子组件耦合到第一引线阶梯侧，且包括第一电子组件第一侧和与第一电子组件第一侧相对的第一电子组件第二侧。第二电子组件耦合到第二引线阶梯侧，且包括第二电子组件第一侧和与第二电子组件第一侧相对的第二电子组件第二侧。密封物密封第一电子组件、第二电子组件和衬底的部分。引线端子从密封物的第一侧暴露。

主权项：1.一种半导体装置，其特征在于，包含：衬底，其包含引线，所述引线包含：引线端子；引线阶梯；以及引线偏移件，其在所述引线阶梯之间延伸，使得至少一些引线阶梯位于不同平面上；第一电子组件，其耦合到第一引线阶梯侧，所述第一电子组件包含：第一电子组件第一侧；以及第一电子组件第二侧，其与所述第一电子组件第一侧相对；第二电子组件，其耦合到第二引线阶梯侧，所述第二电子组件包含：第二电子组件第一侧；以及第二电子组件第二侧，其与所述第二电子组件第一侧相对；以及密封物，其密封所述第一电子组件、所述第二电子组件和所述衬底的部分，其中：所述引线端子从所述密封物的第一侧暴露。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 安靠科技新加坡控股私人有限公司 半导体装置以及制造半导体装置的方法

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