申请/专利权人：三星电子株式会社

申请日：2022-05-20

公开（公告）日：2022-11-25

公开（公告）号：CN115394782A

主分类号：H01L27/1157

分类号：H01L27/1157;H01L27/11573;H01L27/11575;H01L27/11582;H01L27/11524;H01L27/11529;H01L27/11548;H01L27/11556;H01L27/108

优先权：["20210525 KR 10-2021-0066910"]

专利状态码：在审-公开

法律状态：2022.11.25#公开

摘要：一种半导体器件和包括其的电子系统，该半导体器件包括外围电路结构、半导体层、源极导电层、连接模层、支撑导电层、掩埋绝缘层、栅极堆叠结构、模结构、穿过栅极堆叠结构的沟道结构和支撑物层、穿过模结构和掩埋绝缘层的通孔通路、在栅极堆叠结构和模结构之间的坝结构、在坝结构上的上支撑物层、以及穿过栅极堆叠结构和上支撑物层的字线分隔层。坝结构包括第一间隔物、在第一间隔物内的第二间隔物、连接到上支撑物层并部分地在第二间隔物的内侧壁上或覆盖第二间隔物的内侧壁的下支撑物层、以及具有由第二间隔物限定的侧壁和由下支撑物层限定的顶端的气隙。

主权项：1.一种半导体器件，包括：包括基板和晶体管的外围电路结构，所述基板包括单元区和延伸区；在所述外围电路结构上的半导体层；在所述单元区中在所述半导体层上的源极导电层；在所述延伸区中在所述半导体层上的连接模层；在所述源极导电层和所述连接模层上的支撑导电层；掩埋绝缘层，在所述延伸区中在所述外围电路结构上并接触所述半导体层的侧壁；在所述支撑导电层上的栅极堆叠结构；在所述掩埋绝缘层上的模结构；延伸穿过所述栅极堆叠结构的沟道结构和支撑物层；延伸穿过所述模结构和所述掩埋绝缘层的通孔通路THV；在所述栅极堆叠结构和所述模结构之间的坝结构；其中所述支撑物层包括上支撑物层和下支撑物层，所述上支撑物层在所述坝结构上；以及延伸穿过所述栅极堆叠结构和所述上支撑物层的字线分隔层，其中所述坝结构包括第一间隔物和在所述第一间隔物的内侧壁上的第二间隔物，所述下支撑物层连接到所述上支撑物层并且在所述第二间隔物的内侧壁的一部分上，以及气隙，具有由所述第二间隔物限定的侧壁和由所述下支撑物层限定的顶端。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 三星电子株式会社 包括具有气隙的坝结构的半导体器件和包括其的电子系统

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