申请/专利权人：索尼半导体解决方案公司

申请日：2021-04-07

公开（公告）日：2022-11-25

公开（公告）号：CN115398537A

主分类号：G11C11/16

分类号：G11C11/16;H01L21/8239;H01L27/105;H01L43/08

优先权：["20200415 JP 2020-072873","20201111 JP 2020-188271"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.04.28#实质审查的生效;2022.11.25#公开

摘要：根据本公开的一个实施例的半导体存储装置包括多个存储器单元和控制电路。每个存储器单元包括磁化反转存储元件和控制流向磁化反转存储元件的电流的第一开关元件。控制电路执行基于磁化反转存储元件的、写入错误率曲线相对于写入电压的非对称性的写入控制。

主权项：1.一种半导体存储装置，包括：多个存储器单元，每个存储器单元包括磁化反转存储元件和控制流向所述磁化反转存储元件的电流的第一开关元件；和控制电路，执行基于所述磁化反转存储元件的、写入错误率曲线相对于写入电压的非对称性的写入控制。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 索尼半导体解决方案公司 半导体存储装置

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