申请/专利权人：索泰克公司

申请日：2021-03-24

公开（公告）日：2022-11-25

公开（公告）号：CN115398658A

主分类号：H01L41/312

分类号：H01L41/312;H01L41/313;H01L21/20

优先权：["20200324 FR FR2002833"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.06.09#实质审查的生效;2022.11.25#公开

摘要：一种制造用于射频器件的压电结构10的方法，所述方法的特征在于包括：提供压电材料衬底20；提供载体衬底100；在所述压电材料衬底20上提供介电结合层1001；经由所述介电结合层1001将所述压电材料衬底20接合到所述载体衬底100的步骤1'；以及形成由经由所述介电结合层1001接合到载体衬底100的压电材料层200构成的所述压电结构10的减薄步骤2'。

主权项：1.一种制造用于射频器件的压电结构10的方法，其特征在于，所述方法包括：提供压电材料衬底20；提供载体衬底100；在所述压电材料衬底20上提供介电结合层1001；经由所述介电结合层1001将所述压电材料衬底20接合到所述载体衬底100的步骤1'；形成由经由所述介电结合层1001接合到载体衬底100的压电材料层200构成的所述压电结构10的减薄步骤2'。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 索泰克公司 制造用于射频器件的可用于转移压电层的压电结构的方法以及转移这种压电层的方法

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