申请/专利权人：安靠科技新加坡控股私人有限公司

申请日：2022-05-25

公开（公告）日：2022-11-25

公开（公告）号：CN115394745A

主分类号：H01L23/498

分类号：H01L23/498;H01L23/538;H01L21/48;H01L21/768

优先权：["20210525 US 17/329,721"]

专利状态码：在审-公开

法律状态：2022.11.25#公开

摘要：在一个实例中，电子装置包括衬底，所述衬底包括具有顶部表面和底部表面的第一电介质，以及在所述第一电介质中且包括第一通孔和所述第一通孔上方的第一迹线的第一导体。所述第一迹线包括第一迹线侧壁和第一迹线基底，且所述第一通孔包括第一通孔侧壁。所述第一导体包括在所述第一迹线侧壁与所述第一迹线基底之间的第一弓形顶点，和在所述第一通孔侧壁与所述第一迹线基底之间的第二弓形顶点，在所述衬底的所述顶部表面上方的电子组件，以及在所述衬底的所述顶部表面上方且接触所述电子组件的横向侧的囊封物。本文中还公开其它实例和相关方法。

主权项：1.一种电子装置，其包括：衬底，其包括：第一电介质，其具有顶部表面和底部表面，以及第一导体，其在所述第一电介质中且包括第一通孔和所述第一通孔上方的第一迹线，其中所述第一迹线包括第一迹线侧壁和第一迹线基底，且所述第一通孔包括第一通孔侧壁，且其中所述第一导体包括在所述第一迹线侧壁与所述第一迹线基底之间的第一弓形顶点，以及在所述第一通孔侧壁与所述第一迹线基底之间的第二弓形顶点；电子组件，其在所述衬底的所述顶部表面上方；以及囊封物，其在所述衬底的所述顶部表面上方且接触所述电子组件的横向侧。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 安靠科技新加坡控股私人有限公司 半导体装置和制造半导体装置的方法

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