申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司

申请日：2022-07-25

公开（公告）日：2022-11-25

公开（公告）号：CN115394338A

主分类号：G11C13/00

分类号：G11C13/00;G11C7/10;G11C7/22

优先权：["20210730 US 63/227,888","20220326 US 17/705,306"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2022.12.13#实质审查的生效;2022.11.25#公开

摘要：一种记忆体及其操作方法，记忆体包含一记忆体装置、一读取装置及一反馈装置。该记忆体装置储存多个位元。该读取装置包含耦接至该记忆体装置的第一读取电路及第二读取电路。该第二读取电路在一第一节点处耦接至该第一读取电路。该第一读取电路及该第二读取电路彼此协作以基于所述多个位元中的至少一个第一位元来在该第一节点处产生一第一电压信号。该反馈装置基于该第一电压信号来调整该第一读取电路或该第二读取电路中的至少一者。该第一读取电路及该第二读取电路在该第一读取电路或该第二读取电路中的该至少一者由该反馈装置调整之后产生对应于所述多个位元的一第二电压信号，该第二电压信号与该第一电压信号不同。

主权项：1.一种记忆体，其特征在于，包括：一记忆体装置，用以储存多个位元；一读取装置，包括：一第一读取电路，耦接至该记忆体装置；及一第二读取电路，耦接至该记忆体装置，且在一第一节点处耦接至该第一读取电路，其中该第一读取电路及该第二读取电路用以彼此协作以基于所述多个位元中的至少一个第一位元来在该第一节点处产生一第一电压信号；及一反馈装置，用以基于该第一电压信号来调整该第一读取电路及该第二读取电路中的至少一者，其中该第一读取电路及该第二读取电路用以在该第一读取电路及该第二读取电路中的该至少一者由该反馈装置调整之后产生对应于所述多个位元的一第二电压信号，该第二电压信号与该第一电压信号不同。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 记忆体及其操作方法

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