申请/专利权人：华灿光电(浙江)有限公司

申请日：2022-08-15

公开（公告）日：2022-11-25

公开（公告）号：CN115394885A

主分类号：H01L33/14

分类号：H01L33/14;H01L33/20;H01L33/00;H01L21/311

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2022.12.13#实质审查的生效;2022.11.25#公开

摘要：本公开提供了一种具有电流阻挡层的发光二极管及其制造方法，属于光电子制造技术领域。该发光二极管包括衬底以及依次层叠在衬底上的半导体层、电流阻挡层和电流扩展层；电流阻挡层的侧面为斜面，电流阻挡层包括层叠在半导体层上的多个子层，多个子层在同一种刻蚀溶液中具有不同的刻蚀速率，且相邻的子层中，远离衬底的子层的刻蚀速率大于靠近衬底的子层的刻蚀速率。电流阻挡层的侧壁不同区域的刻蚀速率不同，侧壁上距离衬底更远的区域具有更大的刻蚀速率，使得电流阻挡层的侧壁更容易被刻蚀成坡度更小的斜面，有利于增大电流扩展层覆盖在斜面上的部分的厚度，从而减少由电流阻挡层位于斜面上的部分厚度过薄引发的不良问题。

主权项：1.一种发光二极管，其特征在于，包括衬底10以及依次层叠在所述衬底10上的半导体层20、电流阻挡层30和电流扩展层40；所述电流阻挡层30的侧面为斜面，所述电流阻挡层30包括层叠在所述半导体层20上的多个子层31，所述多个子层31在同一种刻蚀溶液中具有不同的刻蚀速率，且相邻的子层31中，远离所述衬底10的子层31的刻蚀速率大于靠近所述衬底10的子层31的刻蚀速率。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 华灿光电(浙江)有限公司 具有电流阻挡层的发光二极管及其制造方法

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