申请/专利权人：广州粤芯半导体技术有限公司

申请日：2022-08-25

公开（公告）日：2022-11-25

公开（公告）号：CN115394638A

主分类号：H01L21/28

分类号：H01L21/28;H01L29/423

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2022.12.13#实质审查的生效;2022.11.25#公开

摘要：本申请公开了一种半导体器件的制造方法及半导体器件。其中，该半导体器件的制造方法包括提供一半导体衬底；在半导体衬底上形成第一氧化层；对半导体衬底进行掺杂氧化，以在半导体衬底和第一氧化层之间生成掺杂氧化层；在掺杂氧化层和半导体衬底之间形成第二氧化层。本方案可以控制氮元素在栅氧化层中的分布。

主权项：1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：提供一半导体衬底；在所述半导体衬底上形成第一氧化层；对所述半导体衬底进行掺杂氧化，以在所述半导体衬底和所述第一氧化层之间生成掺杂氧化层；在所述掺杂氧化层和所述半导体衬底之间形成第二氧化层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 广州粤芯半导体技术有限公司 半导体器件的制造方法及半导体器件

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