申请/专利权人：长鑫存储技术有限公司

申请日：2022-09-06

公开（公告）日：2022-11-25

公开（公告）号：CN115394709A

主分类号：H01L21/768

分类号：H01L21/768;H01L21/28;H01L23/538;H01L29/423

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2022.12.13#实质审查的生效;2022.11.25#公开

摘要：本公开涉及一种半导体结构及其制作方法、半导体器件。其中，半导体结构的制作方法，包括：提供一基底，所述基底具有多个有源区；刻蚀所述有源区，以在所述有源区内形成字线沟道；在所述字线沟道的侧壁和底壁上均生长外延硅，并对所述外延硅或所述外延硅及部分所述有源区进行氧化以形成栅极氧化层，所述栅极氧化层围成字线接触孔；在所述字线接触孔内形成字线结构。通过该半导体结构的制作方法制作出的半导体结构能够减小相邻两个字线结构之间以及字线结构与有源区之间的漏电概率，还能够减小字线结构的线宽并提高字线结构的密度。

主权项：1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，包括：提供一基底，所述基底具有多个有源区；刻蚀所述有源区，以在所述有源区内形成字线沟道；在所述字线沟道的侧壁和底壁上均生长外延硅，并对所述外延硅或所述外延硅及部分所述有源区进行氧化以形成栅极氧化层，所述栅极氧化层围成字线接触孔；在所述字线接触孔内形成字线结构。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 长鑫存储技术有限公司 半导体结构及其制作方法、半导体器件

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