申请/专利权人:深圳腾睿微电子科技有限公司
申请日:2022-09-30
公开(公告)日:2022-11-25
公开(公告)号:CN115386951A
主分类号:C30B23/00
分类号:C30B23/00;C30B29/36
优先权:
专利状态码:在审-实质审查的生效
法律状态:2022.12.13#实质审查的生效;2022.11.25#公开
摘要:本申请涉及半导体设备,提供了一种晶体制备坩埚,所述埚体包括原料区及结晶区,所述原料区位于所述结晶区的下方,所述结晶区的侧壁设有测温组件和生长监控组件,所述埚体的侧壁设置有加热线圈,当在进行晶体生长时,所述测温组件用于检测所述结晶区晶体的温度,防止晶体在生长时发生相变,同时可监控坩埚的温场波动情况,以在异常情况发生时可以及时采取措施;所述生长监控组件用于采集所述结晶区晶体的生长数据,如遇多晶或生长厚度不均匀的情况可以及时调整生长配方,以避免资源浪费。
主权项:1.一种晶体制备坩埚,包括埚体和盖合于所述埚体的上盖,其特征在于,所述埚体包括原料区及结晶区,所述原料区位于所述结晶区的下方,所述结晶区的侧壁设有测温组件和生长监控组件,所述埚体的侧壁设置有加热线圈,当在进行晶体生长时,所述测温组件用于检测所述结晶区晶体的温度,所述生长监控组件用于采集所述结晶区晶体的生长数据。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 深圳腾睿微电子科技有限公司 晶体制备坩埚
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