申请/专利权人：星中达半导体科技(山东)有限公司

申请日：2022-10-08

公开（公告）日：2022-11-25

公开（公告）号：CN115385294A

主分类号：B81B7/02

分类号：B81B7/02;B81C1/00

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2022.12.13#实质审查的生效;2022.11.25#公开

摘要：本发明提供了一种半导体结构的制备方法及半导体结构，涉及半导体制备的技术领域，具有目标尺寸的氧化硅沟槽很容易通过对硅基底的设计及精细的工艺控制实现。与现有技术相比，本申请中并未直接对氧化硅结构进行直接加工；而是，通过氧化硅沟槽的尺寸反推导硅沟槽的尺寸，实现硅沟槽尺寸的精准控制，然后对硅沟槽进行氧化处理从而得到氧化硅沟槽，在上述的制备条件下，可以得到具有高深宽比,微小沟槽间隙和良好陡直度侧壁的氧化硅沟槽。

主权项：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括步骤：S10.提供一硅基底100和一衬底，将硅基底100的底面与衬底进行连接；S20.按照公式1、2、3和4，根据待制备的氧化硅沟槽110的目标尺寸以及氧化形变率α得到待刻蚀的硅沟槽130的初始尺寸；其中，所述目标尺寸包括氧化硅沟槽110的底面与衬底的上表面之间的距离D，氧化硅沟槽110的宽度S和深度H，用于分离相邻两个氧化硅沟槽110的氧化硅柱体120的宽度L；所述S小于2微米，氧化硅柱体120的宽深比LH大于5；其中，所述初始尺寸包括硅沟槽130底面与硅基底100的下表面之间的距离d，硅沟槽130的宽度s，硅柱体140的宽度l和高度h；l＝Lα1s＝1-1α*L+S2d＝Dα3h＝H-1-1α*L2+D4S30.对硅基底100的上表面进行刻蚀，从而在硅基底100的上表面形成具有初始尺寸的多个硅沟槽130；S40.在环境为温度为900℃-1100℃的条件下，对硅沟槽130进行氧化处理1-15小时，从而获得具有目标尺寸的氧化硅沟槽110。

全文数据：

权利要求：

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