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【发明公布】半导体器件及其制备方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202211314839.3 

申请/专利权人:合肥晶合集成电路股份有限公司

申请日:2022-10-26

公开(公告)日:2022-11-25

公开(公告)号:CN115394844A

主分类号:H01L29/423

分类号:H01L29/423;H01L23/538;H01L27/11;H01L21/28;H01L21/768;H01L21/8244

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2023.04.07#授权;2022.12.13#实质审查的生效;2022.11.25#公开

摘要:本发明提供一种半导体器件及其制备方法。其中,半导体器件包括衬底、第一栅极结构、第二栅极结构、层间介质层和共享插塞;在第一方向上第一栅极结构的一端超出第一初始位置并延伸至第一位置,以通过延长第一栅极结构的长度来确保第一栅极结构的端盖形貌符合设定标准,提高器件性能。以及,共享插塞的第一延伸端与第二栅极结构相接,第二延伸端与位于第二栅极结构的一侧的衬底相接;第一延伸端和第二延伸端之间间隔有层间介质层,用于保护第二栅极结构,避免其被侵蚀而导致的漏电流问题。在制备方法中,通过特定的改进图案化光刻胶层,仅采用一步刻蚀工艺即实现制备共享接触孔,无需多次反复显影以及填充刻蚀,工艺制备简单,有助于提高制备效率。

主权项:1.一种半导体器件,其特征在于,包括:衬底;第一栅极结构,所述第一栅极结构形成于所述衬底上;第二栅极结构,所述第二栅极结构形成于所述衬底上;且在第一方向上,所述第二栅极结构的一端与所述第一栅极结构的一端相对设置;以及,所述第一栅极结构的一端超出第一初始位置,并延伸至第一位置;相对的所述第二栅极结构的一端远离第二初始位置,并缩短至第二位置;其中,所述第一初始位置与所述第二初始位置的间距等于所述第一位置与所述第二位置的间距;层间介质层,所述层间介质层覆盖所述衬底表面、所述第一栅极结构表面和所述第二栅极结构表面;共享插塞,所述共享插塞贯穿所述层间介质层,且具有相连的第一延伸端和第二延伸端,所述第一延伸端与所述第二栅极结构相接,所述第二延伸端与位于所述第二栅极结构的侧边的所述衬底相接;其中,所述第一延伸端和所述第二延伸端之间间隔有所述层间介质层。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 合肥晶合集成电路股份有限公司 半导体器件及其制备方法

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