申请/专利权人:科奥微电子(苏州)有限公司
申请日:2022-08-16
公开(公告)日:2022-11-25
公开(公告)号:CN217904364U
主分类号:H03D7/00
分类号:H03D7/00;H04B1/40
优先权:
专利状态码:有效-授权
法律状态:2022.11.25#授权
摘要:本实用新型避免本振频率牵引及抑制杂散频率的射频本振信号产生结构,包括混频器,匹配混频器设置的带调谐的缓冲器,混频器和带调谐的缓冲器调谐在2*f_ch频段;缓冲器形成对应混频器产生频率的缓冲部,避免本振频率牵引,形成带缓冲的避免本振频率牵引射频本振信号产生结构;调谐形成对应混频器产生的杂散频率进行二阶衰减的杂散频率抑制部,形成将杂散频率分量抑制在40dB以下的抑制杂散频率射频本振信号产生结构;通过避免本振频率牵引射频本振信号产生结构、抑制杂散频率射频本振信号产生结构形成避免本振频率牵引及抑制杂散频率的射频本振信号产生结构。
主权项:1.一种避免本振频率牵引及抑制杂散频率的射频本振信号产生结构,特征为:包括混频器,匹配混频器设置的带调谐的缓冲器,混频器和带调谐的缓冲器调谐在2*f_ch频段;缓冲器形成对应混频器产生频率的缓冲部,避免本振频率牵引,形成带缓冲的避免本振频率牵引射频本振信号产生结构;调谐形成对应混频器产生的杂散频率进行二阶衰减的杂散频率抑制部,形成将杂散频率分量抑制在40dB以下的抑制杂散频率射频本振信号产生结构;通过避免本振频率牵引射频本振信号产生结构、抑制杂散频率射频本振信号产生结构形成避免本振频率牵引及抑制杂散频率的射频本振信号产生结构。
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权利要求:
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