申请/专利权人：长鑫存储技术有限公司

申请日：2021-05-26

公开（公告）日：2022-11-29

公开（公告）号：CN115411036A

主分类号：H01L27/108

分类号：H01L27/108;H01L21/8242

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2022.12.16#实质审查的生效;2022.11.29#公开

摘要：本发明提供一种存储器及存储器的制作方法，涉及存储设备技术领域，用于解决存储器良率较低的技术问题。该存储器包括：基底，基底包括核心区和设置在核心区外的外围区；设置在核心区上的第一电容结构，第一电容结构包括多个电容器和覆盖多个电容器的第一导电层；设置在外围区上的外围电路；覆盖第一导电层的第一介质层；覆盖第一介质层的第二导电层，且第二导电层与外围电路电连接。通过在存储器中形成与电容器电连接的稳压电容结构，稳压电容结构为电容器提供持续稳定的电压，无需形成相关技术中的第一接触窗和第二接触窗，即无需开窗，从而避免了第一接触窗或第二接触窗出现未开窗或者过刻蚀现象，提高了存储器的良率。

主权项：1.一种存储器，其特征在于，包括：基底，所述基底包括核心区和设置在所述核心区外的外围区；设置在所述外围区上的外围电路；设置在所述核心区上的第一电容结构，所述第一电容结构包括多个电容器和覆盖所述电容器的第一导电层；覆盖在所述第一导电层外的第一介质层；覆盖在所述第一介质层外的第二导电层，所述第二导电层与所述外围电路电连接。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 长鑫存储技术有限公司 存储器及存储器的制作方法

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