申请/专利权人：爱思开海力士有限公司

申请日：2021-12-28

公开（公告）日：2022-11-29

公开（公告）号：CN115410632A

主分类号：G11C16/34

分类号：G11C16/34

优先权：["20210526 KR 10-2021-0067942"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2022.12.16#实质审查的生效;2022.11.29#公开

摘要：本公开的实施例涉及半导体存储器设备和操作半导体存储器设备的方法。一种操作半导体存储器设备的方法包括用于编程多个存储器单元中的所选择的存储器单元的多个编程循环。多个编程循环中的每个编程循环包括：设置与所选择的存储器单元连接的位线的状态；将编程电压施加到与所选择的存储器单元连接的字线；以及使用第一预验证电压、大于第一预验证电压的第二预验证电压和大于第二预验证电压的主验证电压对所选择的存储器单元执行验证操作。通过执行验证操作来确定第一编程允许单元、第二编程允许单元、第三编程允许单元和编程禁止单元。

主权项：1.一种操作半导体存储器设备的方法，包括用于编程多个存储器单元中的所选择的存储器单元的多个编程循环，其中所述多个编程循环中的每个编程循环包括：设置与所述所选择的存储器单元连接的位线的状态；将编程电压施加到与所述所选择的存储器单元连接的字线；以及使用第一预验证电压、大于所述第一预验证电压的第二预验证电压和大于所述第二预验证电压的主验证电压对所述所选择的存储器单元执行验证操作，以及通过执行所述验证操作来确定第一编程允许单元、第二编程允许单元、第三编程允许单元和编程禁止单元。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 爱思开海力士有限公司 半导体存储器设备和操作半导体存储器设备的方法

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