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【发明公布】相变存储器_意法半导体(克洛尔2)公司_202210592715.5 

申请/专利权人:意法半导体(克洛尔2)公司

申请日:2022-05-27

公开(公告)日:2022-11-29

公开(公告)号:CN115411180A

主分类号:H01L45/00

分类号:H01L45/00;H01L27/24

优先权:["20210528 FR 2105618","20220523 US 17/751,190"]

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2022.12.16#实质审查的生效;2022.11.29#公开

摘要:本公开的实施例涉及相变存储器。存储器单元由以下制造:a形成包括由相变材料制成的第一层和由导电材料制成的第二层的堆叠;b在堆叠上形成仅覆盖存储器单元位置的掩模;以及c蚀刻堆叠的、未被第一掩模覆盖的部分。仅覆盖存储器单元位置的掩模的形成包括针对存储器单元位置的每排限定在排方向上延伸的第一掩模,并且接着针对存储器单元位置的每列在列方向上图案化第一掩模。

主权项:1.一种用于制造存储器单元的方法,包括:a形成包括由相变材料制成的第一层和由导电材料制成的第二层的堆叠;b在所述堆叠上形成第一掩模,所述第一掩模仅覆盖所述存储器单元的位置;以及c蚀刻所述堆叠的、未被所述第一掩模覆盖的部分。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 意法半导体(克洛尔2)公司 相变存储器

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