申请/专利权人：华虹半导体(无锡)有限公司

申请日：2022-08-09

公开（公告）日：2022-11-29

公开（公告）号：CN115410901A

主分类号：H01L21/02

分类号：H01L21/02;H01L29/49;H01L29/423

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2022.12.16#实质审查的生效;2022.11.29#公开

摘要：本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种半导体器件制造方法。所述半导体器件制造方法包括以下步骤：提供半导体晶片；在所述晶片的表面沉积形成多晶硅层，使得所述多晶硅层覆盖所述晶片的晶面上和晶背上；对晶面上和晶背上均形成有多晶硅层的晶片进行多晶硅刻蚀，图案化位于所述晶片晶面上的多晶硅层。本申请提供的一种半导体器件制造方法，可以解决相关技术中因晶面和晶背之间会产生压力差导致套刻偏差的问题。

主权项：1.一种半导体器件制造方法，其特征在于，所述半导体器件制造方法包括以下步骤：提供半导体晶片；在所述晶片的表面沉积形成多晶硅层，使得所述多晶硅层覆盖所述晶片的晶面上和晶背上；对晶面上和晶背上均形成有多晶硅层的晶片进行多晶硅刻蚀，图案化位于所述晶片晶面上的多晶硅层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 华虹半导体(无锡)有限公司 半导体器件制造方法

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