申请/专利权人：华映科技(集团)股份有限公司

申请日：2022-09-06

公开（公告）日：2022-11-29

公开（公告）号：CN115411116A

主分类号：H01L29/786

分类号：H01L29/786;H01L29/45;H01L29/49

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2022.12.16#实质审查的生效;2022.11.29#公开

摘要：本发明提供一种背沟道式氧化物TFT结构，其基板上设有第一金属层，第一金属层包括栅极；基板上还设置有第二金属层，第二金属层与第一金属层相邻设置，所述第二金属层包括栅极驱动线，所述栅极驱动线与栅极电连接；或所述第二金属层位于第一金属层上方或下方，所述第二金属层与对应位置处的第一金属层构成栅极驱动线；所述第一金属层和第二金属层之上设置有第一绝缘层；所述第一绝缘层之上设置有有源层；所述有源层之上设置有第三金属层，所述第三金属层包括源极、漏极以及数据信号线。本发明通过结构优化以减少源漏极金属离子对沟道区的扩散效果，同时氧化物TFT有源层沟道上下界面间、栅极与绝缘层间的薄膜应力差异，从而提高器件稳定性。

主权项：1.一种背沟道式氧化物TFT结构，其特征在于：所述氧化物TFT结构包括基板；所述基板上设有第一金属层，所述第一金属层包括栅极；所述基板上还设置有第二金属层，所述第二金属层与第一金属层相邻设置，所述第二金属层包括栅极驱动线，所述栅极驱动线与栅极电连接；或所述第二金属层位于第一金属层上方或下方，所述第二金属层与对应位置处的第一金属层构成栅极驱动线；所述第一金属层和第二金属层之上设置有第一绝缘层；所述第一绝缘层之上设置有有源层，所述有源层与栅极相对应；所述有源层之上设置有第三金属层，所述第三金属层包括源极、漏极以及数据信号线，所述源极包括相互连接的第一中间导电层和源极金属层，所述漏极包括相互连接第二中间导电层和漏极金属层；所述第一中间导电层和第二中间导电层分别与有源层的两端相连接；所述源极金属层通过所述第一中间导电层与有源层的一端连接，所述漏极金属层通过第二中间导电层与所述有源层的另一端连接；所述源极金属层和所述漏极金属层属于同一金属层，所述第一中间导电层和第二中间导电层属于同一金属层；所述第一中间导电层和第二中间导电层相邻端的间距为TFT沟道长度；所述第一中间导电层和第二中间导电层相邻端的间距，小于所述源极金属层和所述漏极金属层相邻端的间距；所述第一中间导电层、第二中间导电层的厚度，小于所述源极金属层、所述漏极金属层的厚度；所述第一金属层的材质与所述第一中间导电层、第二中间导电层相同，所述第一金属层的厚度小于第二金属层的厚度。所述第三金属层之上设置有第二绝缘层；所述第二金属层厚度范围为所述源极金属层和所述漏极金属层所在的金属层厚度范围为

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权利要求：

百度查询： 华映科技(集团)股份有限公司 一种背沟道式氧化物TFT结构

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