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【发明公布】一种漏端复合SBD结构的MOS抗辐照器件及制备方法_西安电子科技大学_202211197397.9 

申请/专利权人:西安电子科技大学

申请日:2022-09-29

公开(公告)日:2022-11-29

公开(公告)号:CN115411112A

主分类号:H01L29/78

分类号:H01L29/78;H01L29/06;H01L29/10;H01L23/552;H01L23/556;H01L21/336

优先权:

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2022.12.16#实质审查的生效;2022.11.29#公开

摘要:一种漏端复合SBD结构的MOS抗辐照器件及制备方法,包括单晶Si衬底,Si衬底表面为P型Si层,P型Si层侧面为沟槽,沟槽中填充SiO2材料,P型Si层表面为栅氧化层,栅氧化层表面为多晶硅,位于栅氧化层两侧的P型Si层上为轻掺杂的源漏区,轻掺杂的源漏区与SiO2材料之间的P型Si层处为重掺杂的源漏区,重掺杂的源漏区表面为金属导线层,轻掺杂的源漏区表面为Si侧墙,Si侧墙两侧为SiO2侧墙,Si侧墙表面为铝金属层,铝金属层表面为金属导线层,金属导线层表面为用于钝化电介质的SiN材料。本发明从器件角度解决了单粒子效应对器件逻辑状态的影响,实现了由该抗辐照MOS器为基本单元所搭建的集成电路能够在高辐射的环境中稳定工作,在漏端嵌入SBD工艺简单,制作成本低。

主权项:1.一种漏端复合SBD结构的MOS抗辐照器件,其特征在于,包括单晶Si衬底001,Si衬底001表面为P型Si层002,P型Si层002侧面为沟槽,沟槽中填充SiO2材料005,P型Si层002表面为栅氧化层006,栅氧化层006表面为多晶硅007,位于栅氧化层006两侧的P型Si层002上为轻掺杂的源漏区008,轻掺杂的源漏区008与SiO2材料005之间的P型Si层002处为重掺杂的源漏区012,重掺杂的源漏区012表面为金属导线层016,轻掺杂的源漏区008表面为Si侧墙010,Si侧墙010两侧为SiO2侧墙011,Si侧墙010表面为铝金属层015,铝金属层015表面为金属导线层016,金属导线层016表面为用于钝化电介质的SiN材料017。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 西安电子科技大学 一种漏端复合SBD结构的MOS抗辐照器件及制备方法

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