申请/专利权人:西安电子科技大学
申请日:2022-09-29
公开(公告)日:2022-11-29
公开(公告)号:CN115411112A
主分类号:H01L29/78
分类号:H01L29/78;H01L29/06;H01L29/10;H01L23/552;H01L23/556;H01L21/336
优先权:
专利状态码:在审-实质审查的生效
法律状态:2022.12.16#实质审查的生效;2022.11.29#公开
摘要:一种漏端复合SBD结构的MOS抗辐照器件及制备方法,包括单晶Si衬底,Si衬底表面为P型Si层,P型Si层侧面为沟槽,沟槽中填充SiO2材料,P型Si层表面为栅氧化层,栅氧化层表面为多晶硅,位于栅氧化层两侧的P型Si层上为轻掺杂的源漏区,轻掺杂的源漏区与SiO2材料之间的P型Si层处为重掺杂的源漏区,重掺杂的源漏区表面为金属导线层,轻掺杂的源漏区表面为Si侧墙,Si侧墙两侧为SiO2侧墙,Si侧墙表面为铝金属层,铝金属层表面为金属导线层,金属导线层表面为用于钝化电介质的SiN材料。本发明从器件角度解决了单粒子效应对器件逻辑状态的影响,实现了由该抗辐照MOS器为基本单元所搭建的集成电路能够在高辐射的环境中稳定工作,在漏端嵌入SBD工艺简单,制作成本低。
主权项:1.一种漏端复合SBD结构的MOS抗辐照器件,其特征在于,包括单晶Si衬底001,Si衬底001表面为P型Si层002,P型Si层002侧面为沟槽,沟槽中填充SiO2材料005,P型Si层002表面为栅氧化层006,栅氧化层006表面为多晶硅007,位于栅氧化层006两侧的P型Si层002上为轻掺杂的源漏区008,轻掺杂的源漏区008与SiO2材料005之间的P型Si层002处为重掺杂的源漏区012,重掺杂的源漏区012表面为金属导线层016,轻掺杂的源漏区008表面为Si侧墙010,Si侧墙010两侧为SiO2侧墙011,Si侧墙010表面为铝金属层015,铝金属层015表面为金属导线层016,金属导线层016表面为用于钝化电介质的SiN材料017。
全文数据:
权利要求:
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