申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司

申请日：2018-11-15

公开（公告）日：2022-11-29

公开（公告）号：CN110660908B

主分类号：H01L45/00

分类号：H01L45/00;H01L27/24

优先权：["20180629 US 62/692,354","20180828 US 16/114,607"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2022.11.29#授权;2020.02.04#实质审查的生效;2020.01.07#公开

摘要：一些实施例涉及一种存储器装置及其制造方法。所述存储器装置包括可编程金属化单元随机存取存储器PMCRAM单元。所述可编程金属化单元包括设置在底部电极之上的介电层，所述介电层包含中心区。导电桥能够在介电层内形成以及被消除，且导电桥控制在介电层的中心区内。在介电层之上设置有金属层。在底部电极与介电层之间设置有热散逸层。

主权项：1.一种存储器装置，其特征在于，包括：底部电极；介电层，设置在所述底部电极之上；顶部电极，设置在所述介电层之上，其中导电桥能够选择性地形成在所述介电层内以将所述底部电极耦合到所述顶部电极；侧壁间隔件，设置在所述顶部电极及所述介电层周围；以及热散逸层，设置在所述底部电极与所述介电层之间，其中所述热散逸层包括位于所述侧壁间隔件的第一对外侧壁之下的外围区以及中间区，且所述中间区被所述外围区环绕。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 存储器装置及其制造方法

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