申请/专利权人：长江存储科技有限责任公司

申请日：2019-10-18

公开（公告）日：2022-11-29

公开（公告）号：CN110718480B

主分类号：H01L21/66

分类号：H01L21/66

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2022.11.29#授权;2020.02.21#实质审查的生效;2020.01.21#公开

摘要：本申请公开了一种字线层漏电的判断方法及系统，该方法首先将阵列区中的源极顶部暴露出来，并将暴露出的源极顶部通过第一金属层连接起来，然后通过形成第二金属层，使得源极与载物台导通，接着为载物台施加预设电压，利用原子力显微镜的探针探测钨栓塞结构，以获取原子力显微镜图像，在探测过程中，如果字线层与源极有短路，则会形成载物台‑导电托盘‑第二金属层第一金属层‑短路点‑字线层‑钨栓塞结构这样一条电路通道，获得的原子力显微镜图像中会出现相对应的漏电信号，因此根据原子力显微镜图像，即可准确的判断待测三维存储器芯片的字线层与阵列区的源极之间是否存在漏电现象，实现了提高判断字线层是否漏电的准确性的目的。

主权项：1.一种字线层漏电的判断方法，其特征在于，用于判断待测三维存储器芯片的字线层是否漏电，所述待测三维存储器芯片包括阵列区和位于所述阵列区两侧的第一台阶区和第二台阶区，所述字线层漏电的判断方法包括：对所述待测三维存储器芯片的阵列区进行处理，以暴露出所述阵列区的源极顶部，包括：通过平面打磨的方式，对所述阵列区进行处理，以暴露出所述阵列区的源极顶部，并保持所述阵列区中的字线被绝缘层覆盖；将所述待测三维存储器芯片固定在原子力显微镜的导电托盘上；将所述阵列区暴露出的源极顶部通过第一金属层连接起来；形成连接所述第一金属层和所述导电托盘的第二金属层，以使所述第一金属层和所述导电托盘电连接；为所述原子力显微镜的载物台施加预设电压，利用原子力显微镜的探针探测所述第一台阶区或第二台阶区的钨栓塞结构，以获取原子力显微镜图像；根据获取的所述原子力显微镜图像，判断所述待测三维存储器芯片的字线层与阵列区的源极之间是否漏电。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 长江存储科技有限责任公司 一种字线层漏电的判断方法及系统

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