申请/专利权人：上海华力集成电路制造有限公司

申请日：2020-01-17

公开（公告）日：2022-11-29

公开（公告）号：CN111257714B

主分类号：G01R31/26

分类号：G01R31/26

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2022.11.29#授权;2020.07.03#实质审查的生效;2020.06.09#公开

摘要：本发明公开了一种用于半导体晶圆表面静电测量的静电测量设备，包括：支撑部顶部设有多个第一电性测量件，各第一电性测量件第一端分别与半导体晶圆各晶粒测试触点电性连接；第二电性测量件卡固在半导体晶圆周侧并形成电性连接；测量单元第一端电性连接各第一电性测量件第二端，其第二端电性连接第二电性测量件，其用于测量第一电性测量件和第二电性测量件之间电流。本发明还公开了一种用于半导体晶圆表面静电测量的静电测量方法。通过本发明提供的静电测量设备测量方法能够在半导体生产中及时发现晶圆静电，并能够通过本发明提供的静电测量设备将晶圆静电接地导出，避免晶圆静电造成后续工艺缺陷，进而提高半导体产品的良品率，提高生产效率。

主权项：1.一种静电测量设备，其用于半导体晶圆表面静电分布测量，其特征在于，包括：支撑部，其顶部设有多个第一电性测量件；所述支撑部包括支撑台和载物台；支撑台，其为框架结构，用于支撑固定载物台；载物台，其为绝缘材料制造，其顶面为平面，其用于支撑各第一电性测量件，第一电性测量件能在其顶面移动位置；多个第一电性测量件，各第一电性测量件第一端分别与半导体晶圆各晶粒测试触点电性连接；第二电性测量件，其卡固在半导体晶圆周侧并形成电性连接；测量单元，其第一端电性连接各第一电性测量件第二端，其第二端电性连接第二电性测量件，其用于测量第一电性测量件和第二电性测量件之间电流；其中，多个第一电性测量件对半导体晶圆形成支撑，多个第一电性测量件与支撑部绝缘，所述第一电性测量件的数量大于等于13；若测得某一个第一电性测量件和第二电性测量件之间电流值大于预设电流阈值，则使各第一电性测量件连接地。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海华力集成电路制造有限公司 静电测量设备及静电测量方法

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