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【发明授权】H桥驱动电路、控制方法及驱动电机_圣邦微电子(北京)股份有限公司_202010316415.5 

申请/专利权人:圣邦微电子(北京)股份有限公司

申请日:2020-04-21

公开(公告)日:2022-11-29

公开(公告)号:CN113556036B

主分类号:H02M3/158

分类号:H02M3/158;H02M1/088;H02M1/32;H02M1/38;H02P7/28

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2022.11.29#授权;2021.11.12#实质审查的生效;2021.10.26#公开

摘要:本发明公开了一种H桥驱动电路、控制方法及驱动电机,驱动电路包括两路相同的驱动模块,每路驱动模块均包括串联于第一电源端与接地端之间的上功率管和下功率管,以及第一驱动控制模块和第二驱动控制模块,所述第一驱动控制模块分别与所述上功率管的栅极和源极连接,接收外部控制信号,并根据外部控制信号和所述上功率管的源极电压调节所述上功率管的栅极电压,所述第二驱动模块与所述下功率管的栅极连接,用于控制所述下功率管在所述上功率管的关断状态下导通,其中,在所述上功率管关断状态下,所述上功率管的栅极与源极之间的电压差恒定。该桥驱动电路实现了功率管关断状态下H的安全保护。

主权项:1.一种H桥驱动电路,包括两路相同的驱动模块,每路驱动模块均包括串联于第一电源端与接地端之间的上功率管和下功率管,以及控制所述上功率管的第一驱动控制模块和控制所述下功率管的第二驱动控制模块,其特征在于,所述第一驱动控制模块分别与所述上功率管的栅极和源极连接,接收外部控制信号,并根据外部控制信号和所述上功率管的源极电压调节所述上功率管的栅极电压,所述第二驱动控制模块与所述下功率管的栅极连接,用于控制所述下功率管在所述上功率管的关断状态下导通,其中,在所述上功率管关断状态下,所述上功率管的栅极与源极之间的电压差恒定;所述第一驱动控制模块包括:第一晶体管,源极与第二电源端连接,栅极接收控制信号,漏极与所述上功率管的栅极连接;第二晶体管,漏极与所述上功率管的栅极连接,源极与所述上功率管的源极连接,栅极接收第一充电电流、第二充电电流、第一放电电流和第二放电电流的其中之一;第一电容,连接于所述第二晶体管的栅极与源极之间,其中,所述第一充电电流、所述第二充电电流、所述第一放电电流和所述第二放电电流对所述第一电容充、放电,以便于实现对所述第二晶体管的导通关断控制;所述第一充电电流、所述第二充电电流、所述第一放电电流和所述第二放电电流均由恒流源提供。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 圣邦微电子(北京)股份有限公司 H桥驱动电路、控制方法及驱动电机

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