申请/专利权人：西安电子科技大学

申请日：2021-06-15

公开（公告）日：2022-11-29

公开（公告）号：CN113471688B

主分类号：H01Q1/38

分类号：H01Q1/38;H01Q1/50;H01Q5/10;H01Q5/307

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2022.11.29#授权;2021.10.26#实质审查的生效;2021.10.01#公开

摘要：本发明属于天线技术领域，尤其涉及一种渐变槽线加载的双频天线，其特征是：至少包括：介质板1、低频辐射结构2、低频馈电结构3、高频辐射结构4、高频馈电结构5；所述的介质板1是双层PCB板，低频辐射结构2、低频馈电结构3、高频辐射结构4、高频馈电结构5刻蚀在双层PCB板上下金属层上，其中介质板1为方型结构，低频辐射结构2在介质板1中间从上到下以指数渐变槽线构成。它以便解决天线在高频处能够作为天线辐射，实现双频天线的问题，解决双频天线实现高低频独立调节。

主权项：1.一种渐变槽线加载的双频天线，其特征是：至少包括：介质板1、低频辐射结构2、低频馈电结构3、高频辐射结构4、高频馈电结构5；所述的介质板1是双层PCB板，低频辐射结构2、低频馈电结构3、高频辐射结构4、高频馈电结构5刻蚀在双层PCB板上下金属层上，其中介质板1为方型结构，低频辐射结构2在介质板1中间从上到下以指数渐变槽线构成，低频辐射结构2的指数渐变槽线的展开线位于介质板1的上端，由低频辐射结构2的指数渐变槽线将介质板1虚拟分割成左右结构，介质板1上层金属左上和右上分别刻蚀高频辐射结构4，高频辐射结构4由四元指数渐变槽线组成；在介质板1的下层金属左右四元指数渐变槽线底部分别刻蚀高频馈电结构5；在介质板1上层金属低频辐射结构2的左右指数渐变槽线底部汇合处刻蚀直径为M的圆，M是圆形谐振腔的直径；在介质板1下层金属对应于直径为M的圆上端的位置处刻蚀低频馈电结构3。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 西安电子科技大学 一种渐变槽线加载的双频天线

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