申请/专利权人：福建省晋华集成电路有限公司

申请日：2022-07-22

公开（公告）日：2022-11-29

公开（公告）号：CN217933795U

主分类号：H01L27/108

分类号：H01L27/108;H01L27/11507;H01L27/11509

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2022.11.29#授权

摘要：本申请公开一种半导体存储器，能够提高所述半导体存储器的出厂良率，延长所述半导体存储器的使用寿命。所述半导体存储器包括：衬底；多根位线，平行设置于衬底上；多个虚拟位线，平行于所述位线长度方向，设置于衬底上，位于所述位线的外围，且所述虚拟位线在第一方向上的宽度大于所述位线在第一方向上的宽度，所述第一方向垂直于所述位线长度方向，并平行于所述衬底表面；多个接触窗，交错的设置于所述位线以及所述虚拟位线在长度方向上的两端，每一位线和虚拟位线均通过一所述接触窗获取外界电位，或将自身电位引出至外界，且任意两个在所述第一方向上相邻的所述接触窗的距离相等。

主权项：1.一种半导体存储器，其特征在于，包括：衬底；多根位线，平行设置于衬底上；多个虚拟位线，平行于所述位线长度方向，设置于衬底上，位于所述位线的外围，且所述虚拟位线在第一方向上的宽度大于所述位线在第一方向上的宽度，所述第一方向垂直于所述位线长度方向，并平行于所述衬底表面；多个接触窗，交错的设置于所述位线以及所述虚拟位线在长度方向上的两端，每一位线和虚拟位线均通过一所述接触窗获取外界电位，或将自身电位引出至外界，且任意两个在所述第一方向上相邻的所述接触窗的距离相等。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 福建省晋华集成电路有限公司 半导体存储器

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