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【发明公布】存储器_长鑫存储技术有限公司_202110609025.1 

申请/专利权人:长鑫存储技术有限公司

申请日:2021-06-01

公开(公告)日:2022-12-02

公开(公告)号:CN115424654A

主分类号:G11C29/26

分类号:G11C29/26;G11C29/12

优先权:

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2022.12.20#实质审查的生效;2022.12.02#公开

摘要:本申请涉及一种存储器,包括存储模块、读模块、第一校验模块及第二校验模块,存储模块包括多个感测放大器阵列和多个存储单元阵列,感测放大器阵列与存储单元阵列交替排布;第一数据线与各感测放大器阵列均电连接;读模块用于对第一数据线上的数据进行读取;第一校验模块、第二校验模块与读模块均电连接;读模块被配置为:将读取数据的部分传输至第一校验模块以进行检错和或纠错,并将读取数据的另外部分传输至第二校验模块以进行检错和或纠错;其中,传输至第一校验模块的数据与传输至第二校验模块的数据分别来自于相邻的感测放大器阵列。本申请能够及时发现并修复半导体存储装置中相邻存储单元失效缺陷。

主权项:1.一种存储器,其特征在于,包括:存储模块,包括多个感测放大器阵列和多个存储单元阵列,所述感测放大器阵列与所述存储单元阵列交替排布,所述感测放大器阵列用于对所述存储单元阵列进行数据读写;第一数据线,与各所述感测放大器阵列均电连接;读模块,与所述第一数据线电连接,用于对所述第一数据线上的数据进行读取;第一校验模块,与所述读模块电连接;第二校验模块,与所述读模块电连接;所述读模块被配置为:将读取数据的部分传输至所述第一校验模块以进行检错和或纠错,并将读取数据的另外部分传输至所述第二校验模块以进行检错和或纠错;其中,传输至所述第一校验模块的数据与传输至所述第二校验模块的数据分别来自于相邻的感测放大器阵列。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 长鑫存储技术有限公司 存储器

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