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【发明公布】半导体结构_长鑫存储技术有限公司_202110609507.7 

申请/专利权人:长鑫存储技术有限公司

申请日:2021-06-01

公开(公告)日:2022-12-02

公开(公告)号:CN115425008A

主分类号:H01L23/544

分类号:H01L23/544;H01L21/66;H01L23/48

优先权:

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2022.12.20#实质审查的生效;2022.12.02#公开

摘要:本发明涉及半导体技术领域,提出了一种半导体结构,包括半导体基体和测试元件组,测试元件组包括:第一金属层,第一金属层位于半导体基体上,第一金属层形成有预留空间,预留空间贯通第一金属层;第二金属层,第二金属层位于第一金属层的上方,且与第一金属层间隔设置;硅通孔,硅通孔位于半导体基体内,且穿过预留空间,硅通孔与第二金属层相连接;其中,硅通孔的截面积小于预留空间的截面积,以使得硅通孔与第一金属层相间隔。通过在第一金属层上形成有预留空间,从而可以使得硅通孔穿过预留空间后与第二金属层相连接,并保证硅通孔和第一金属层不连接,从而可以通过测试设备与第二金属层相连接,以实现对硅通孔的测试。

主权项:1.一种半导体结构,其特征在于,包括半导体基体和测试元件组,所述测试元件组包括:第一金属层,所述第一金属层位于所述半导体基体上,所述第一金属层形成有预留空间,所述预留空间贯通所述第一金属层;第二金属层,所述第二金属层位于所述第一金属层的上方,且与所述第一金属层间隔设置;硅通孔,所述硅通孔位于所述半导体基体内,且穿过所述预留空间,所述硅通孔与所述第二金属层相连接;其中,所述硅通孔的截面积小于所述预留空间的截面积,以使得所述硅通孔与所述第一金属层相间隔。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 长鑫存储技术有限公司 半导体结构

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