申请/专利权人：北京时代全芯存储技术股份有限公司;江苏时代芯存半导体有限公司

申请日：2020-11-23

公开（公告）日：2022-12-02

公开（公告）号：CN115428159A

主分类号：H01L27/24

分类号：H01L27/24

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2022.12.20#实质审查的生效;2022.12.02#公开

摘要：一种相变存储器的制备方法和相变存储器，包括如下步骤：提供一基底，所述基底包括一衬底200，一底部电极201，一氮化物层203，一加热器207，所述加热器207位于所述氮化物层203内，以及所述加热器207两边的鳍状牺牲层206，所述鳍状牺牲层206可以被选择性腐蚀；选择性腐蚀所述鳍状牺牲层206，形成所述加热器207两边的鳍状凹槽；在所述鳍状凹槽处沉积氧化物层208并形成包围加热器的气隙208a；沉积图形化的相变材料层209和顶部电极210。由于气隙208a隔热性能比氮化物层或氧化物层更好，加热器207被气隙208a包围，横向热能耗散减少，热效率会更高，提升了相变存储器的性能。

主权项：一种相变存储器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：提供一基底，所述基底包括一衬底，一底部电极，一氮化物层，一加热器，所述加热器位于所述氮化物层内，以及所述加热器两边的鳍状牺牲层，所述鳍状牺牲层可以被选择性腐蚀；选择所述性腐蚀鳍状牺牲层，形成所述加热器两边的鳍状凹槽；在所述鳍状凹槽处沉积氧化物层并形成包围加热器的气隙；沉积图形化的相变材料层和顶部电极。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 北京时代全芯存储技术股份有限公司;江苏时代芯存半导体有限公司 相变存储器的制备方法和相变存储器

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD