申请/专利权人：美光科技公司

申请日：2021-02-10

公开（公告）日：2022-12-02

公开（公告）号：CN115428151A

主分类号：H01L27/11551

分类号：H01L27/11551;H01L27/11548;H01L27/11575;H01L27/11578;H01L25/065;G06F3/06

优先权：["20200224 US 16/799,254"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2022.12.20#实质审查的生效;2022.12.02#公开

摘要：一种微电子装置包括具有存储器阵列区和阶梯区的微电子装置结构。所述微电子装置结构包括：具有层的堆叠结构，每个层包括导电结构和绝缘结构；阶梯结构，其限制在所述阶梯区内且具有台阶，所述台阶包括所述堆叠结构中处于所述叠组和所述额外叠组内的所述层的边缘；及半导电导柱结构，其限制在所述存储器阵列区内且延伸穿过所述堆叠结构。所述堆叠结构包括：叠组，其包括一组所述层；额外叠组，其上覆于所述叠组且包括额外一组所述层；及叠组间区段，其处于所述叠组和所述额外叠组之间且包括限制在所述存储器阵列区内的介电结构及处于所述介电结构的竖直边界内且限制在所述阶梯区内的另一组所述层。

主权项：1.一种微电子装置，其包括：具有存储器阵列区和阶梯区的微电子装置结构，所述微电子装置结构包括：具有层的堆叠结构，每个层包括导电结构和与所述导电结构竖直相邻的绝缘结构，所述堆叠结构包括：叠组，其包括一组所述层；额外叠组，其竖直上覆于所述叠组且包括额外一组所述层；及叠组间区段，其竖直处于所述叠组和所述额外叠组之间，所述叠组间区段包括：介电结构，其水平限制在所述存储器阵列区内；及另一组所述层，其处于所述介电结构的竖直边界内且水平限制在所述阶梯区内；阶梯结构，其水平限制在所述阶梯区内且具有包括所述堆叠结构中处于所述叠组和所述额外叠组内的所述层的边缘的台阶；及半导电导柱结构，其水平限制在所述存储器阵列区内且竖直地延伸穿过所述堆叠结构。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 美光科技公司 形成微电子装置的方法及相关微电子装置和电子系统

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