申请/专利权人：朗姆研究公司

申请日：2021-03-31

公开（公告）日：2022-12-02

公开（公告）号：CN115428122A

主分类号：H01L21/02

分类号：H01L21/02;C23C16/04;C23C16/455;H01L21/762;H01L27/115

优先权：["20200401 US 63/003,671"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2022.12.20#实质审查的生效;2022.12.02#公开

摘要：用介电材料填充间隙的方法包括在沉积期间使用抑制剂等离子体。抑制剂等离子体增加了沉积膜的成核障碍。当抑制剂等离子体与特征中的材料相互作用时，特征底部的材料接受的等离子体处理比靠近特征顶部的材料或位于场内的材料少。然后，特征顶部的沉积被选择性地抑制，而特征的下部分的沉积则以较少的抑制或不被抑制的方式进行。因此，自下而上的填充得到加强，这可以创建一个倾斜的轮廓，以减轻接缝效应并防止空隙形成。在一些实施方案中，特征顶部的底层材料使用集成衬垫进行保护。在一些实施方案中，在间隙填充过程中使用氢气化学反应，以减少接缝的形成。

主权项：1.一种方法，其包含：提供衬底，其具有包括待填充的间隙的结构；选择性地在所述结构的上部沉积保护衬垫，以使其仅部分地延伸至所述间隙中；以及执行下列操作的一个或更多个循环：a将所述衬底暴露于包含卤素物质的等离子体，以抑制所述间隙的一部分上的沉积；b在a后，在所述间隙中沉积介电材料。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 朗姆研究公司 接缝减轻和用于间隙填充的整合式衬垫

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD