申请/专利权人：株式会社半导体能源研究所

申请日：2021-04-09

公开（公告）日：2022-12-02

公开（公告）号：CN115428167A

主分类号：H01L29/786

分类号：H01L29/786;H01L21/8234;H01L27/00;H01L27/06;H01L27/088

优先权：["20200423 JP 2020-076423"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.05.02#实质审查的生效;2022.12.02#公开

摘要：提供一种新颖结构的半导体装置。该半导体装置包括电流电压转换部、电流开关部、电压电流转换部以及控制部。电流开关部包括第一晶体管。电压电流转换部包括第二晶体管。控制部包括第三晶体管。第一晶体管在沟道形成区域包含氧化物半导体。第二晶体管在沟道形成区域包含氮化物半导体。第三晶体管在沟道形成区域包含硅。第一晶体管设置于第一衬底上。第二晶体管及第三晶体管设置于第二衬底上。

主权项：1.一种半导体装置，包括：电流电压转换部；电流开关部；以及电压电流转换部，其中，所述电流开关部包括第一晶体管，所述电压电流转换部包括第二晶体管，所述第一晶体管在沟道形成区域包含氧化物半导体，所述第二晶体管在沟道形成区域包含氮化物半导体，并且，所述第一晶体管设置在设置有所述第二晶体管的层的上层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 株式会社半导体能源研究所 半导体装置

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