申请/专利权人：罗伯特·博世有限公司

申请日：2021-03-25

公开（公告）日：2022-12-02

公开（公告）号：CN115427345A

主分类号：B81B3/00

分类号：B81B3/00;B81C1/00

优先权：["20200417 DE 102020204910.6"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.05.05#实质审查的生效;2022.12.02#公开

摘要：本发明涉及一种用于制造至少一个第一205和第二微镜设备206的方法。在此，提供尤其是板状的、具有前侧110和背侧120的硅晶片100。然后，将氧化硅层130施加到所述硅晶片100、101的至少所述前侧110上。随后，如此去除所述氧化硅层130，使得产生所述氧化硅层130的至少一个第一分离区域131和至少一个第二分离区域132，其中，所述氧化硅层130的第一131和第二分离区域132在空间上、沿着分离平面140彼此分离地布置。然后，将硅层150施加到所述硅晶片101的前侧110和所述氧化硅层130上。随后，将蚀刻掩模180施加70到所述硅晶片100的背侧120上，其中，所述蚀刻掩模180沿着所述氧化硅层130的第一131和第二分离区域132的所述分离平面140具有第一开口190。随后，根据在所述硅晶片100、101的背侧120上的所述蚀刻掩模180并且根据所述硅晶片100的氧化硅层130、尤其是所述氧化硅层130的第一131和第二分离区域132，借助蚀刻方法来去除80所述硅层150、350和所述硅晶片100、101，使得产生至少一个第一205和第二微镜设备206。

主权项：1.一种用于制造至少一个第一微镜设备205，300和第二微镜设备206的方法，其中，所述方法具有以下方法步骤：-提供10，11尤其是板状的、具有前侧110和背侧120的硅晶片100，101，并且-将氧化硅层130施加20到所述硅晶片100，101的至少所述前侧110上，所述氧化硅层130的层厚度135尤其在1μm至3μm的范围内，并且-如此去除30所述氧化硅层130，尤其是直至所述硅晶片100，101的外表面111，使得产生所述氧化硅层130的至少一个第一分离区域131和至少一个第二分离区域132，其中，所述氧化硅层130的所述第一分离区域131和所述第二分离区域132在空间上沿着分离平面140彼此分离地布置，并且-将硅层150，350、尤其是具有在5μm至50μm的范围内的层厚度116的多晶硅层施加40到所述硅晶片100，101的所述前侧110和所述氧化硅层130上，尤其是施加到所述氧化硅层130的所述第一分离区域131和所述第二分离区域132上，并且-将蚀刻掩模180施加70到所述硅晶片100的背侧120上，其中，所述蚀刻掩模180沿着所述氧化硅层130的第一分离区域131和第二分离区域132的所述分离平面140具有第一开口190，并且-根据在所述硅晶片100，101的所述背侧120上的所述蚀刻掩模180并且根据所述硅晶片100，101的所述氧化硅层130、尤其是所述氧化硅层130的所述第一分离区域131和第二分离区域132，借助蚀刻方法来去除80所述硅层150，350和所述硅晶片100，101，使得产生至少一个第一微镜设备205，300和第二微镜设备206。

全文数据：

权利要求：

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